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81.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics.  相似文献   
82.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词:  相似文献   
83.
Based on the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation in chemically doped organic semiconductor are developed, by approximation of Coulomb traps with a rectangle potential well. Numerical calculations show that traditional Einstein relations do not hold for chemically doped organic semiconductors. Similar to physical doping, the dependence of diffusion coefficient to mobility D/μ ratio on the carrier concentration has a maximum. An essential difference between chemical doping and physical doping is that, the D/μ ratio in chemically doped organic semiconductors depends not only on carrier concentration and doping concentration, but also on the applied electric field. PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h  相似文献   
84.
本文建立一个理论模型研究互联网互联结算的问题。文章利用多元线性回归法对互联网骨干网运营商(IBPs:Internet Backbone Providers)的网络价值进行评估,利用IBPs各自的网络价值对其交换速率进行加权,从而得出网络价值加权速率,依据这个速率进行结算既可以反映了每个网络对互联的贡献程度,又反映了在互联中对网络资源的被占用程度。  相似文献   
85.
Recently, miniature H2 generator to power fuel cells for portable/micro electronic devices and passenger propulsion has been the focus of intense research activities1-3. One of the strategies is to find simple CO-free H2 production with novel microreactor…  相似文献   
86.
Dynamical behaviour of two coupled neurons with at least one of them being chaotic is presented. Bifurcation diagrams and Lyapunov exponents are calculated to diagnose the dynamical behaviour of the coupled neurons with the increasing coupling strength. It is found that when the coupling strength increases, a chaotic neuron can be controlled by the coupling between neurons. At the same time, phase locking is studied by the maxima of the differences of instantaneous phases and average frequencies between two coupled neurons, and the inherent connection of phase locking and the suppression of chaos is formulated. It is observed that the onset of phase locking is closely related to the suppression of chaos. Finally, a way for suppression of chaos in two coupled nonidentical neurons under periodic input is suggested.  相似文献   
87.
山奈黄素荧光分光光度测定痕量锗的新方法   总被引:5,自引:1,他引:4  
锗与山奈黄素在H3PO4介质中发生配合反应, 形成配合比为2:1的配合物, 此配合物在乙醇溶液中具有很强的荧光强度, λex=438 nm, λem=478 nm. 用山奈黄素荧光分光光度法测定痕量锗, 检出限为0.15 μg/L, 线性范围为1.0~50 μg/L. 高、中、低3种浓度锗的相对标准偏差分别为 0.85%、 2.5%、 2.8%, 加标回收率为95.7%~103.9%.  相似文献   
88.
高固体分羟基丙烯酸树脂的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
以过氧化二苯甲酰(BPO)/过氧化二异丙苯(DCP)(质量比为2:3)为复合引发剂,二甲苯为溶剂,选用适量含羟基单体和分子量调节剂,以减缓树脂合成聚合反应中的自动加速现象,合成了分子量为3000-4000,多分散性指数d〈2的高固体分羟基丙烯酸树脂.该树脂与缩二脲多异氰酸酯(HDI)的配漆实验证明,所得漆膜鲜映性好、丰满度高、色泽好、雾影值低、综合性能较好.  相似文献   
89.
介绍了一个电磁学黑匣子实验,对其作了具体的解答,并提供多种解决方案,且指出了此题的特点和实验过程中可能出现的问题.  相似文献   
90.
标度系统一致性矩阵容量的计算方法   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文研究正互反矩阵的变换性质 ,提出一种保持正互反矩阵一致性程度的等价分类 ,为计算各种标度系统下的一致矩阵容量提供了计算方法  相似文献   
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